哪裏一個公式最優美？？（可選3個）

outpace

就是拿来放大讯号的啦？我想问下你们这些够力的，电板里面通的是不是电流？？那么是什么东西把这些电变成有用的信息，好像洗衣机几时打干衣服，电话怎样把电换成声音，几时电话响这种声音几时又另一个？？
USB是怎样把资料存在里面？好奇妙叻。得空才用简单的话聊聊吧

sunyat99

原帖由 outpace 于 9-4-2009 12:07 AM 发表
就是拿来放大讯号的啦？我想问下你们这些够力的，电板里面通的是不是电流？？那么是什么东西把这些电变成有用的信息，好像洗衣机几时打干衣服，电话怎样把电换成声音，几时电话响这种声音几时又另一个？？
USB是怎样 ...

usb  不是memory cell...本身是不存信息。。存信息的是DRAM...里面有capacitor charge storage.. Q=CV... 然后就用transistor 控制capacitor discharge and charge activity... USB 本身其实是一个I/O standard...就是如何将digital signal ("1" ,"0") 转换成 外面世界可以接受的voltage level... 比如"1"从1.2V转换成3.3V...这是最容易的解释。。。

sunyat99

原帖由 歆滢 于 8-4-2009 07:51 PM 发表
二极体就是正、负极，南、北极之类的。

乱乱讲。。。2极体叫做diode...为什么 叫2极。。因为diode 的操作是依靠electron-hole pairs....是双方向。。。当diode forward biased,  current is due to minority carrier injection... 当diode  reversed biased current is due to majority carrier injection....

transistor 大致上普遍上有两种bipolar transistor and field transistor...biploar transistor就是楼上所讲的三极管。。因为是由两个pn np diode组成。。。 英文不叫tri-polar transistor...所以我不知道中文干吗叫 三极管。。让人误解。。。 bipolar transistor的原因是因为current 是由minority and majority carrier injection 造成。。。我们叫current based on diffusion (diffusion 你应该懂吧, 就很像你们bio里的osmosis phenomenon )... 至于field transistor就比如我们所听到的CMOS。。。field transistor  是uni-polar因为是电流只是依靠 majority carrier drifting across channel....

[ 本帖最后由 sunyat99 于 9-4-2009 03:58 AM 编辑 ]

家國夢

還是不明白，可以淺顯一點沒有？

sunyat99

原帖由 家國夢 于 9-4-2009 11:03 AM 发表
還是不明白，可以淺顯一點沒有？

diode 是由P doped silicon 跟 N doped silicon 组成。。N doped意思就是比较多free moving electron ( weakly bound electron to atom)... P doped 意思就是比较多free hole (因为在doping是已经捐献一个electron 给 acceptor dopant 了）所以N doped region majority carrier是electron ，P doped region majority carrier 是Hole... 同样的。。N doped region minority carrier 就是 hole ，P doped region minority carrier就是 electron。。。当这两个material结合起来，在他们的boundary里，会有diffusion作用。。也就是高压力流向低压力。。。就是P doped region的boundary会有比较多的electron 从N doped region参透。。。同样的N doped region的boundary 也会有比较多的hole 从P doped region参透。。。这个现象我们就叫做minority carrier diffusion...electron-hole diffusion可以产生 电流。。。同时由于boundary doping effect, 本身就会产生了 potential field which try to oppose diffusion direction。electron 要越到P doped region就很辛苦很辛苦。。因为但对P doped region 的electron来说确实好消息。。因为他看到的是一个的是一个低potential... electron可以轻易的在electricfield 之下drift 去 N doped region... 这两种现象都产生不同方向的电流。。。在equilibrium 之下。。两者互相平衡着。。所以net电流就零。。

那如何产生电流。。我们就要applied external voltage　to reduce potential barrier at boundary...当potential barrier reduced 了，　P doped region的minority carrier Electron 可以比较轻易的越过boundary至 N doped region...这时候diffusion current 就开始增强了。。甚至超越了drift current..这样就产生了电流。。。注意！！这里还是有反方向的drift current..只不过是diffusion current大过drift current。。所以这就是bi-polar的意思。。。电流是双向的。。diffusion是由minority carrier主导。。而drift current是majority carrier 主导。。而drift current完全是由于boundary potential的原因。。是固定的。。不变得。。一直都存在。。这是一个完全由material parameters 控制着。。

sunyat99

原帖由 家國夢 于 9-4-2009 11:03 AM 发表
還是不明白，可以淺顯一點沒有？

diode 是由P doped silicon 跟 N doped silicon 组成。。N doped意思就是比较多free moving electron ( weakly bound electron to atom)... P doped 意思就是比较多free hole (因为在doping是已经捐献一个electron 给 acceptor dopant 了）所以N doped region majority carrier是electron ，P doped region majority carrier 是Hole... 同样的。。N doped region minority carrier 就是 hole ，P doped region minority carrier就是 electron。。。当这两个material结合起来，在他们的boundary里，会有diffusion作用。。也就是高压力流向低压力。。。就是P doped region的boundary会有比较多的electron 从N doped region参透。。。同样的N doped region的boundary 也会有比较多的hole 从P doped region参透。。。这个现象我们就叫做minority carrier diffusion...electron-hole diffusion可以产生 电流。。。同时由于boundary doping effect, 本身就会产生了 potential field which try to oppose diffusion direction。electron 要越到P doped region就很辛苦很辛苦。。因为但对P doped region 的electron来说确实好消息。。因为他看到的是一个的是一个低potential... electron可以轻易的在electricfield 之下drift 去 N doped region... 这两种现象都产生不同方向的电流。。。在equilibrium 之下。。两者互相平衡着。。所以net电流就零。。

那如何产生电流。。我们就要applied external voltage　to reduce potential barrier at boundary...当potential barrier reduced 了，　P doped region的minority carrier Electron 可以比较轻易的越过boundary至 N doped region...这时候diffusion current 就开始增强了。。甚至超越了drift current..这样就产生了电流。。。注意！！这里还是有反方向的drift current..只不过是diffusion current大过drift current。。所以这就是bi-polar的意思。。。电流是双向的。。diffusion是由minority carrier主导。。而drift current是majority carrier 主导。。而drift current完全是由于boundary potential的原因。。是固定的。。不变得。。一直都存在。。这是一个完全由material parameters 控制着。。

家國夢

還是很亂。。。。。

還是不要探討transistor了

jie2003

简单来讲，diode,也就是二极体，你可以想成一边有很多带负电的电子，另一边有很多带正电的洞的东西。当有洞的地方接到正电，有电子的地方接到负电，那二极体就会开始通电。在深入的解说，就请看；楼上的吧。

至于transistor叫三极体，我想是因为有三个脚，C，B，E 或 G，D，S 吧

sunyat99

原帖由 家國夢 于 9-4-2009 05:13 PM 发表
還是很亂。。。。。

還是不要探討transistor了

如果你还是不明白。。那我用跟浅白的来说。。P doped有electron也有hole...hole是positive charge...electron是negative charge...可是给P doped region, majority 是hole...minority是electron...所以我们就叫majority carrier in P doped 是 hole.... minority carrier in P doped region是electron...同样的。。给N doped material，就跟P doped material 相反。。。　hole 是　minority carrier while electron 是majority carrier... 当两个material碰在一起。。就在他们两者结合的交界。。我们叫junction or boundary...　你懂物体是从高压力流向低压力。。这个物力现象我们叫做 diffusion...　所以在P doped region 的majority carrier ,hole也会参透入N doped region。。。那自然在N doped的junction里出现minority 的概率也就是hole就大大提高。。。而P doped region　junction出现的minority carreir，也就是electron也是大大提高。。。在这个junction..自然就形成一个electric field...　你自己画出来吧。。在P doped region junction side　是negative...在N doped region junction side是positive...　这个electric field会逐渐的压制由于压力所导致的electron-hole pair movement... 同时这个electric field可以产生由potential主导的electron-hole pair movement... 也就是minority carrier , hole in N doped region being drifted due to negative potential seen in P doped region junction side. and minority carrier, electron in P doped region being drifted to N doped region due to positive potential seen at N doped region junction side... 这个现象我们叫drift current...只要有electron-hole pair movement..就有电流产生。。。我们有两种电流。。。一）diffusion current ２）drift current两者是反方向。。。所以。。我们就叫diode ２　极管。。。假设P material 在左边，　N material在右边。。。我们就可以看到hole从P doped 参透入N doped region...这时候diffusion current就是从左到右的方向。。。　同样的。。我们可以看到在junction的位置。。negative field build up在左边（P doped junction side) 。。positive field build up 在右边（N doped junction side)。。所以一个electric field的方向　是从右到左。。也就是说同一时间，N side的hole也会在electric field压力下drift去左边。。。所以drift current是从右至左。。两者是反方向。。。明吗？？？　transistor中文叫三极管。。当然现在已经不合时宜了。。因为最普遍运用的transistor 是 based on field effect transistor...也就是　drift current based...是单方向。。。由两个pn - np diode形成的transistor我们叫bipolar transistor...也就是电流是依靠以上我说的两种现象。。diffusion current and drift current...　

sunyat99

原帖由 家國夢 于 9-4-2009 05:13 PM 发表
還是很亂。。。。。

還是不要探討transistor了

如果你还是不明白。。那我用跟浅白的来说。。P doped有electron也有hole...hole是positive charge...electron是negative charge...可是给P doped region, majority 是hole...minority是electron...所以我们就叫majority carrier in P doped 是 hole.... minority carrier in P doped region是electron...同样的。。给N doped material，就跟P doped material 相反。。。　hole 是　minority carrier while electron 是majority carrier... 当两个material碰在一起。。就在他们两者结合的交界。。我们叫junction or boundary...　你懂物体是从高压力流向低压力。。这个物力现象我们叫做 diffusion...　所以在P doped region 的majority carrier ,hole也会参透入N doped region。。。那自然在N doped的junction里出现minority 的概率也就是hole就大大提高。。。而P doped region　junction出现的minority carreir，也就是electron也是大大提高。。。在这个junction..自然就形成一个electric field...　你自己画出来吧。。在P doped region junction side　是negative...在N doped region junction side是positive...　这个electric field会逐渐的压制由于压力所导致的electron-hole pair movement... 同时这个electric field可以产生由potential主导的electron-hole pair movement... 也就是minority carrier , hole in N doped region being drifted due to negative potential seen in P doped region junction side. and minority carrier, electron in P doped region being drifted to N doped region due to positive potential seen at N doped region junction side... 这个现象我们叫drift current...只要有electron-hole pair movement..就有电流产生。。。我们有两种电流。。。一）diffusion current ２）drift current两者是反方向。。。所以。。我们就叫diode ２　极管。。。假设P material 在左边，　N material在右边。。。我们就可以看到hole从P doped 参透入N doped region...这时候diffusion current就是从左到右的方向。。。　同样的。。我们可以看到在junction的位置。。negative field build up在左边（P doped junction side) 。。positive field build up 在右边（N doped junction side)。。所以一个electric field的方向　是从右到左。。也就是说同一时间，N side的hole也会在electric field压力下drift去左边。。。所以drift current是从右至左。。两者是反方向。。。明吗？？？　transistor中文叫三极管。。当然现在已经不合时宜了。。因为最普遍运用的transistor 是 based on field effect transistor...也就是　drift current based...是单方向。。。由两个pn - np diode形成的transistor我们叫bipolar transistor...也就是电流是依靠以上我说的两种现象。。diffusion current and drift current...

注：其实这个解释是不准确的。。有一些现象是不对的。。正确的解释应该已band diagram着手。。。纯属为了简化解释。。　有兴趣我们可以探讨何谓band diagram吧。。。

黑子是electron
白子是hole


[ 本帖最后由 sunyat99 于 14-4-2009 01:36 PM 编辑 ]

家國夢

太亂了，不要探討transistor了

无药可救的脑残

sunyat兄
你写那么多
在我看来只好像看到一大堆方块字和一些罗马字罢了

家國夢

原帖由 无药可救的脑残 于 14-4-2009 01:11 AM 发表
sunyat兄
你写那么多
在我看来只好像看到一大堆方块字和一些罗马字罢了

同感 ，我們都是化學的

yw46

原帖由 家國夢 于 14-4-2009 01:15 PM 发表


同感 ，我們都是化學的

原来脑残兄是读化学的

chan1314

maxwell equation

家國夢

原帖由 chan1314 于 19-4-2009 07:34 PM 发表
maxwell equation  

贊同，的確很對稱很美

但是我看不懂，所以不好意思方上來

azera

好久没看到那种公式了.....

康...开心

(x - h)2 + (y - k)2 = r2

这个

cherry128

为何没有E=mc2， 蒙查查

bai

不同時候
用不同公式
求不同未知
都展現該公式的美
不同階段
學會運用不同公式
也發現該公式的神奇
到了明白某公式的時候
我想應該會體會該公式的可愛
遺憾我沒到達那個境界
對任何公式  都如此

另外，sunyat 兄說的band diagram 是不是那個什麽conduction band or valence band 之類的？
可以講講嗎？印象中好像中學時聼老師講過，不過離開物理太久了，可以復習下嗎？謝啦。