原帖由 mancai 于 23-9-2005 10:22 AM 发表
只是IC packaging 而已, 應該是wafer 過後的process。
mancai,
IC包装一般是从晶圆片(WAFER)开始.以下是其中一个生产有内接线DIP(如PICXXX),QFP(如SB LIVE的EMU10K),PGA(如P3,ATLON),SOP(如DRAM)等的流程.军用级的陶瓷封装暂时不讲了.
1. TAPPING,也就是说晶圆片在切割前把它黏在胶膜上方便切割.
2. DIE CUT, 也就是把晶圆片上的个别晶片(DIE/CHIP)用电切刀把一个个晶片分割出来.
3. DIE ATTACH,把分割出来的好晶片,把他安放在接线模(LEAD FRAME).
4. REFLOW,含有银焊剂(SILVER GLASS)的接线模经过高温度(~180C-220C)把两者粘合.
5. WIRING,就是用铝线把晶片上的接口接去接线模.
6. MOUDING,这个是把以上含有接线模,晶片和接线封装起来,也就我们看到的那种黑黑的IC了.
7. TESTING,最后测试,把坏的IC分开.
8. MARKING,把IC的型号,用镭射或盖胶印的方式来印封.
在包装TQFP,TSOP等超薄型包装,在TAPPING前回加入一个磨薄的程序.就是把大约700毫寸的晶圆片磨到厚度大约只有400毫寸以减少IC的厚度.
在包装BGA时,一般上是采用FLIP CHIP的方式.也就是说,少了以上所说过的第4和第5个步骤.接线口(BOND PAD)的排放也从周围旁边的排法改为密布距阵试GRID ARRAY.本来以铝线来接线的方式也改成锡焊球来代替,故叫BALL GRID ARRAY BGA).本来用镀锡的铜接线模也以高密度多层PCB(CHIP CARRIER)来代替.省略了许多在第4和第5个步骤里所带来的不必要损失.
预祝你成功.
[ 本帖最后由 louiektc 于 23-9-2005 12:16 PM 编辑 ] |